什么是 iPhone 闪存？
iPhone 使用的是 NAND 闪存（NAND Flash），这是一种非易失性存储技术，用于保存操作系统、应用、照片、视频等所有用户数据。与传统机械硬盘不同，闪存没有活动部件，但其每个存储单元有写入次数的物理限制。
闪存寿命有多长？
现代 iPhone 所采用的 TLC 或 NVMe 闪存芯片，通常具备以下特性：
- 每个存储单元可承受约 300–1000 次完整写入（P/E cycles）
- iOS 系统通过“磨损均衡”（Wear Leveling）技术均匀分配写入操作
- 对于普通用户，正常使用下闪存寿命远超设备淘汰周期（通常 5 年以上）
举例：一部 128GB 的 iPhone，若每天写入 20GB 数据，理论上可持续使用超过 5 年而不触及寿命极限。
影响闪存寿命的因素
- 频繁写入操作：如长时间录制 4K 视频、频繁安装/卸载大型游戏
- 系统缓存与后台同步：云同步、邮件推送等会持续产生小量写入
- 存储空间接近满载：剩余空间不足会降低磨损均衡效率
- 高温环境：长期高温会加速闪存老化
如何延长 iPhone 闪存寿命？
✅ 实用建议：
- 保持至少 10%–15% 的可用存储空间
- 避免长时间连续高负载使用（如直播、4K 录制）
- 定期重启设备，清理临时缓存
- 关闭不必要的后台 App 刷新和自动下载
- 避免在高温环境下充电或使用手机
常见误区澄清
误区一：“频繁删除照片会大幅缩短闪存寿命。”
实际上，iOS 的文件系统和 TRIM 机制会高效管理无效数据，日常删除操作影响极小。
误区二：“越狱会直接损坏闪存。”
越狱本身不损伤硬件，但可能因安装不稳定软件导致异常写入，间接增加风险。